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제품 상세 정보:
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| 원래 장소: | 원래의 |
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| 브랜드 이름: | Original |
| 인증: | ISO9001:2015standard |
| 모델 번호: | BSZ100N03MSGATMA1 |
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결제 및 배송 조건:
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| 최소 주문 수량: | 10개 |
| 가격: | Contact us to win best offer |
| 포장 세부 사항: | 기준 |
| 배달 시간: | 1-3주 일 |
| 지불 조건: | L/C, T/T, 웨스턴 유니온, 페이팔 |
| 공급 능력: | 10000pcs/달 |
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상세 정보 |
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| 설치 스타일: | SMD/SMT | 패키지/상자: | TSDSON-8 |
|---|---|---|---|
| 트랜지스터 극성: | N채널 | 구성: | 하나의 |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개 | 단위 무게: | 38.760mg |
| 하이 라이트: | TSDSON-8 MOSFET IC 칩,N 채널 MOSFET IC 칩,30V N 채널 MOSFET |
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제품 설명
BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 이산 반도체
MOSFET
OptiMOS TM3 M-시리즈 전력 MOSFET, 30V
특징
●5V 드라이버 적용에 최적화(노트북, VGA, POL)
●고주파 SMPS를 위한 낮은 FOMQsw
100% 눈사태 테스트
●N채널
●매우 낮은 온 저항 Ros(on) @ Vcs=4.5V
●Excellent gate charge x Ros(on) 제품(FOM)
●대상 애플리케이션에 대해 "JEDEC"에 따라 인증됨
●뛰어난 내열성
●무연 도금;RoHS 준수
●IEC61249-2-21에 따른 할로겐 프리
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| N채널 | |
| 1 채널 | |
| 30V | |
| 40A | |
| 7.3m옴 | |
| - 20V, +20V | |
| 1V | |
| 23nC | |
| - 55℃ | |
| + 150C | |
| 30W | |
| 상승 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 2.4ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 26S |
| 키: | 1.1mm |
| 길이: | 3.3mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 2.8ns |
| 시리즈: | 옵티모스 3M |
| 5000 | |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 16ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 3.8ns |
| 너비: | 3.3mm |
| 부품 번호 별칭: | BSZ100N03MS G SP000311510 |
| 단위 무게: | 0.001367온스 |
관련 재고 모델
| ADM213EARSZ-릴 | 37500 |
| CSD18532Q5B | 13180 |
| TPS54232DR | 25000 |
| SPC5607BF1VLU6R | 3000 |
| AD7490BCPZ | 800 |
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