|
제품 상세 정보:
|
|
| 원래 장소: | 원형 |
|---|---|
| 브랜드 이름: | Original |
| 인증: | ISO9001:2015standard |
| 모델 번호: | S29GL01GS10TFI010 |
|
결제 및 배송 조건:
|
|
| 최소 주문 수량: | 10PCS |
| 가격: | $12.5-16.5/PC |
| 포장 세부 사항: | 표준 |
| 배달 시간: | 1-3workdays |
| 지불 조건: | 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온, 페이팔 |
| 공급 능력: | 10000 PC / 달 |
|
상세 정보 |
|||
| 설치 방식: | SMD / SMT | 패키지 / 건: | TSOP-56 |
|---|---|---|---|
| 기억 용량: | 1 그비트 | 상품 종류: | NOR 플래시 |
| 단일 가중치: | 17.214g | ||
| 하이 라이트: | S29GL01GS10TFI010 메모리용 IC,TSOP-56 메모리용 IC,NOR 플래시 메모리용 IC |
||
제품 설명
평행한 S29GL01GS10TFI010 반도체 기억 장치 IC NOR 플래시 1G 3V 100NS도 또한 순간 집적 회로
상술 :
| 메모리 용량 : | 1 그비트 |
| 공급 전압 - 민 : | 2.7 Ｖ |
| 공급 전압 - 맥스 : | 3.6 Ｖ |
| 인터페이스 타입 : | 대비 |
| 조직 : | 64 Ｍ Ｘ 16 |
| 데이터 버스 폭 : | 16비트 |
| 타이밍식 : | 비동시적입니다 |
| 최소 동작 온도 : | - 40 Ｃ |
| 최대 작업 온도 : | + 85 Ｃ |
| 패키징하는 것 : | 트레이 |
| 구조 : | 이클립스 |
| 기억 영역형 : | 도 또한 |
| 민감한 수분 : | 예 |
| 속도가 나세요 : | 100 나노 초 |
| 양 공장 팩 : | 910 |
| 하위범주 : | 메모리 & 데이터 스토리지 |
| 공급전류 - 맥스 : | 60 마 |
특성
다재다능한 입출력과 CMOS 3.0 볼트 핵심
65 nm 미러비트 이클립스 기술
읽기 / 프로그램 /를 위한 단일 공급 (VCC)는 (3.6 Ｖ에 대한 2.7 Ｖ)을 없앱니다
넓은 입출력 전압 범위 (가상 입출력) : VCC에 대한 1.65 Ｖ
×16 데이터 버스
비동시적 32 바이트 페이지는 읽었습니다
512 바이트의 최대까지, 페이지 배수에 프로그래밍하기
똑같은 말 옵션에 대한 단일어와 다수의 프로그램
단일 비트 에러 보정과 내부 하드웨어 ECC
획일적 128 키로바이트 분야
프로그램을 위해 사령부를 보류하고 재개하고 작전을 없애세요.
당신의 메시지에 들어가십시오
