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제품 상세 정보:
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| 원래 장소: | 원형 |
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| 브랜드 이름: | Original |
| 인증: | ISO9001:2015standard |
| 모델 번호: | BSZ15DC02KDH |
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결제 및 배송 조건:
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| 최소 주문 수량: | 10 |
| 가격: | Contact us to win best offer |
| 포장 세부 사항: | 표준 |
| 배달 시간: | 1-3workdays |
| 지불 조건: | L/C (신용장), 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔 |
| 공급 능력: | 10000 PC / 달 |
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상세 정보 |
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| 패키지: | TSDSON-8 | D/C: | 가장 새롭습니다 |
|---|---|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT | 트랜지스터 극성: | 엔-채널, P-채널 |
| 채널 수: | 2채널 | ||
| 하이 라이트: | 촉진 p 채널 MOSFET 트랜지스터,BSZ15DC02KDH 트랜지스터 MOSFET |
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제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| MOSFET | |
| SMD / SMT | |
| TSDSON-8 | |
| 엔-채널, P-채널 | |
| 2개 채널 | |
| 20 Ｖ | |
| 5.1 한, 3.2 A | |
| 41 모엠에스, 97 모엠에스 | |
| - 12 Ｖ, + 12 Ｖ | |
| 1.1 Ｖ, 1 Ｖ | |
| 700 pC, 590 pC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 175 Ｃ | |
| 2.5 Ｗ | |
| 향상 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 구성 : | 듀얼 |
| 강하 시간 : | 1.4 나노 초, 4.7 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 5.5 Ｓ, 3.4 Ｓ |
| 높이 : | 1.1 밀리미터 |
| 길이 : | 3.3 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 2 나노 초, 3.7 나노 초 |
| 5000 | |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널, 1 P-채널 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 12.2 나노 초, 11.3 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 4.9 나노 초, 7.4 나노 초 |
| 폭 : | 3.3 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | SP000961028 BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| 단일 가중치 : | 0.001367 온스 |
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