상세 정보 |
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증가하는 방식: | SI8622ED-B-IS | 설치 스타일: | SMD / SMT |
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패키지 / 건: | SOIC-16 | 채널 수: | 2채널 |
극성: | 단방향 | 자료 비율: | 150MB/s |
절연 전압: | 5000 브르엠에스 | 아이솔레이션형: | 정전 결합 |
공급 전압 - 최대: | 5.5 V | 공급 전압 - 민: | 2.5 V |
작동 공급전류: | 8.2 마 | ||
하이 라이트: | SI8622ED-B-IS 디지털 절연체,전원관리 ICs 150Mb/s,전원 운용 IC 5000 브르엠에스 |
제품 설명
EU 로에스 | 순응합니다 |
ECCN (우리) | EAR99 |
상태 부분 | 활동가 |
HTS | 8542330001 |
자동차 | 부정 |
PPAP | 부정 |
타입 | 범용 |
칩 당 채널 수 | 2 |
최대 데이터 전송율 | 150Mbps |
최대 상승 타임즈 지 (나노 초) | 4 |
최대 붕괴 타임즈 지 (나노 초) | 4 |
최소 펼스 폭 (나노 초) | 5 |
최대 펄스 폭 왜곡 (나노 초) | 5 |
최대 전달 지연 스큐 (나노 초) | 5 |
출력형 | CMOS |
최대 작동 공급 전압 (V) | 5.5 |
최소 작동 공급 전압 (V) | 2.5 |
최대 전파 지연 시간 (tPHL) (나노 초) | 14 |
최소 분리 전압 (브르엠에스) | 5000 |
최대 전파 지연 시간 (tPLH) (나노 초) | 14 |
최대 일하는 절연 전압 | 1200Vp |
최대 정지하는 공급전류 (mA) | 10.6/11.4 |
최대 출력 전류는 (mA)를 운전합니다 | 10 |
최대 파워 분해 (mW) | 150 |
최소 동작 온도 ('C) | -40 |
최대 작업 온도 ('C) | 125 |
전형적 작동 공급 전압 (V) | 5|3.3 |
앞으로 / 역방향 채널 | 1月1日 |
최소 동상 제거 (kV/us) | 35 |
결합 타입 | 정전 결합 |
공급자 패키지 | SOIC W |
핀 수 | 16 |
장착 | 표면 부착 |
패키지 높이 | 2.05(Min) |
패키지 길이 | 10.3 |
패키지 폭 | 7.5 |
PCB는 변했습니다 | 16 |
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