UCC27524ADR IGBT MOSFET 문 게이트 드라이버 AT91SAM9G10-CU CY8C24123A-24SXI PMIC ICs

제품 설명

UCC27524ADR IGBT MOSFET 문 게이트 드라이버 AT91SAM9G10-CU CY8C24123A-24SXI PMIC 전원관리 ICs

1가지 특징

오우 산업표준 핀 아우트

오우 두 독립적 게이트 드라이브 채널

오우 5-A 최대 원천과 싱크-드라이브 전류

각각 출력을 위한 오우 인디펜던트-에나불라 기능

공급 전압으로부터 독립한 오우 TTL과 CMOS 양립 로직 한계

고잡음 면역에 대한 오우 히스테레틱-로그릭 한계

입력에 있는 핸들 부 전압 (-5 Ｖ)에 대한 오우 능력

VDD 핀 편의 전원 전압에 의해 제한된 오우 입력과 실행 핀 전압 수준

18-V 단일 공급 범위에 대한 오우 4.5

오우 생산은 VDD-UVLO (전원 켬과 전원을 내림에 있는 엔수레스 무-글리치 가동) 동안 낮게 유지했습니다

오우는 전달 지연 (전형적인 13 나노 초)을 금식시킵니다

오우는 상승과 하강 시간 단식합니다 (전형적인 7 나노 초와 6 나노 초)

2-채널 사이의 오우 1 나노 초 전형적 지연 매칭

오우 두 출력은 더 높은 구동 전류를 위해 평행합니다

오우 생산량은 입력이 표류할 때 안에 낮게 유지했습니다

HVSSOP-8 파워패드티엠 패키지 옵션인 오우 SOIC-8

-40 내지 140' Ｃ의 오우 작동 온도 범위

2 애플리케이션

오우 스위치모드 전력 공급 듀얼 비반전 입력

오우 직류 직류 변환 회로

오우 모터 콘트롤, 태양력

GaN과 같은 신흥 극대 밴드 갭 전력 소자을 요구하는 오우 게이트 드라이브

관련 주식 모델들

회사 우위

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