Walton Electronics Co., Ltd.

IPG20N06S4L14AATMA1 파워 트랜지스터 IC 칩 n채널 MOSFET 40V 60V

제품 상세 정보:
원래 장소: 원형
브랜드 이름: Original
인증: ISO9001:2015standard
모델 번호: IPG20N06S4L14AATMA1
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10 PC
가격: pls contact us
포장 세부 사항: 표준
배달 시간: 2-3 일로 일합니다
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
공급 능력: 1000pcs/ 개월
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상세 정보

상품 카테고리 :: MOSFET 증가하는 방식: SMD / SMT
패키지 / 건: TDSON-8 트랜지스터 극성 :: 엔-채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 60V 상품 이름: IPG20N06S4L14AATMA1
하이 라이트:

IPG20N06S4L14AATMA1 파워 트랜지스터

,

파워 트랜지스터 n채널 MOSFET 40V

,

트랜지스터 IC 칩 MOSFET 40V 60V

제품 설명

IPG20N06S4L14AATMA1 파워 트랜지스터 n채널 MOSFET 40V 60V

 

OptiMOS-T2 파워 트랜지스터

 

특징

오우 듀얼 엔-채널 논리 레벨 - 증가 모드

오우 AEC Q101은 자격을 주었습니다

오우 MSL1 최고 260까지' C 최대 리플로우

오우 175' C 작동 온도

오우 저공해 상품 (순응한 로에스)

시험된 오우 100% 쇄도

자동 광학 검사 (AOI)를 위해 가능한 오우

IPG20N06S4L14AATMA1 파워 트랜지스터 IC 칩 n채널 MOSFET 40V 60V 0

 

MOSFET
로에스 : 세부 사항
Si
SMD / SMT
TDSON-8
엔-채널
2개 채널
60 V
20 A
13.7 모엠에스
- 16 V, + 16 V
1.7 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
향상
AEC-Q101
컷 테이프
마우스릴
구성 : 듀얼
높이 : 1.27 밀리미터
길이 : 5.9 밀리미터
상품 종류 : MOSFET
양 공장 팩 : 5000
하위범주 : MOSFET
트랜지스터형 : 1 엔-채널
폭 : 5.15 밀리미터
부분 # 가칭 : IPG20N06S4L-14A SP001023846

 

 

 

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