상세 정보 |
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증가하는 방식: | SMD / SMT | 패키지 / 건: | SOT-363-6 |
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트랜지스터 극성: | 엔-채널 | 채널 수: | 2개 채널 |
패키징: | 컷 테이프 | 상품 종류: | MOSFET |
제품 설명
DMN5L06DWK7 MOSFET 듀얼 엔 채널 2 채널 소신호 크드크 스드 트랜지스터는 모드 트랜지스터를 포장합니다
특징
듀얼 엔-채널 MOSFET
낮은 온 저항 (1.0V 맥스)
매우 낮은 게이트 문턱 전압
저입력 캐패시턴스
고속 스위칭 속도
낮은 입출력 누출
극소형 표면 실장 패키지
ESD는 최고 2kV를 보호했습니다
완전히 무연 & 완전히 순응한 (기록 1과 2) 로에스
자유로운 할로겐과 안티몬. 녹색 장치 (노트 3)
높은 레리아빌리트에 대하여 표준인 AEC-Q101에 자격을 얻습니다
기계적 데이터
경우 : SOT363
케이스 소재 : 플라스틱 성형, 녹색 몰딩 화합물. 94V-0을 평가하는 UL 인화성 분류
습기 민감성 : J-STD-020 당 레벨 1
단말 접속 : 다이어그램을 보세요
단말기 : 끝나고 - 매트 주석은 불순물 42 리드프레임 위에서 단련했습니다. MIL-STD-202마다 솔더링 가능하, 방법 208
중량 : 0.006 그램 (대략적)
상품 카테고리 : | MOSFET |
Si | |
SMD / SMT | |
SOT-363-6 | |
엔-채널 | |
2개 채널 | |
50 V | |
305 마 | |
2 오옴 | |
- 20 V, + 20 V | |
490 mV | |
400 pC | |
- 65 C | |
+ 150 C | |
250 mW | |
향상 | |
릴 | |
컷 테이프 | |
마우스릴 | |
구성 : | 듀얼 |
강하 시간 : | 8.4 나노 초 |
앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 200 mS |
높이 : | 1 밀리미터 |
길이 : | 2.2 밀리미터 |
제품 : | MOSFET 소신호 |
상품 종류 : | MOSFET |
상승 시간 : | 1.8 나노 초 |
시리즈 : | DMN5L06 |
3000 | |
하위범주 : | MOSFET |
트랜지스터형 : | 2 엔-채널 |
전형적 정지 지연 시간 : | 14.4 나노 초 |
전형적 턴 온 지연 시간 : | 2.1 나노 초 |
폭 : | 1.35 밀리미터 |
단일 가중치 : | 0.000265 온스 |
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