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제품 상세 정보:
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| 원래 장소: | 원형 |
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| 브랜드 이름: | Original |
| 모델 번호: | AM26C32IPWR |
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결제 및 배송 조건:
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| 최소 주문 수량: | 10PCS |
| 가격: | Contact us to win best price |
| 포장 세부 사항: | 표준 |
| 배달 시간: | 1-3workdays |
| 지불 조건: | L/C (신용장), 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔 |
| 공급 능력: | 10000 PC / 달 |
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상세 정보 |
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| 제품 설명: | 아르 에스 422 인터페이스 집적 회로 | 설치 스타일: | SMD / SMT |
|---|---|---|---|
| 패키지 / 건: | TSSOP-16 | 시리즈: | AM26C32 |
| 자료 비율: | 10 Mb / Ｓ | 패키징: | 2년마다 Reel/ 삭감 Tape/MouseReel |
| 단일 가중치: | 62 마그네슘 | ||
| 하이 라이트: | AM26C32IPWR 집적 회로,10 Mb / Ｓ 아르 에스 422 인터페이스 IC |
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제품 설명
AM26C32 4배로 된 디퍼런셜 라인 리시버
1가지 특징
오우는 ANSI TIA/EIA-422-B와 TIA/EIA-423-B와 ITU 권고 V.10과 V.11을 위한 요구조건을 만나거나 초과합니다
오우 저 소비 전력, 전형적인 ICC = 10 마
±200-mV 민감도와 오우 ±7-V 공통 모드 범위
오우 입력 이력현상 : 전형적인 60 mV
전형적인 오우 tpd = 17 나노 초
오우는 한 개의 5-V 공급으로부터 작동합니다
오우 3-주 출력
오우 입력 절대 안전한 회로
AM26LS32 장치을 오우 개선된 대체
Q-임시 자동차에 이용할 수 있는 오우
2 애플리케이션
오우 높은 신뢰도 자동차 애플리케이션
오우 공장 자동화
오우 ATM과 현금 카운터
오우 스마트 그리드
오우 AC과 서보 모터 드라이브
3가지 기술
AM26C32 기기는 균형적이거나 균형 잡히지 않은 디지털 데이터 전송을 위한 4배로 된 디퍼런셜 라인 리시버입니다. 실행 기능은 모든 4 수신기들에 공통이고, 액티브-하이 또는 액티브-로우 입력 중에서 선택권을 부여합니다.
3가지 출력된 상태는 직접적으로 연결을 부소르가니즈드 시스템에게 허용합니다. 입력이 열리면, 출력이 항상 높은 것을 고장 안전 설계는 명시합니다.
AM26C32 장치는 양극성과 CMOS 트랜지스터의 조합인 BICMOS 프로세스를 사용하여 제조됩니다. AC과 DC 성능을 유지하는 동안, 이 과정은 5분의 1에 대해 소비 전력을 줄이기 위한 CMOS의 저 소비 전력과 양극성의 고전압과 전류에게 표준 AM26LS32의 그것을 제공합니다.
장치 정보(1)
핀의기능
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핀 |
입출력 |
기술 |
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이름 |
LCCC |
SOIC 또는 PDIP, 그렇게, TSSOP, CFP 또는 CDIP |
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1A |
3 |
2 |
나 |
RS422/RS485 차동 입력 (비전환) |
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1B |
2 |
1 |
나 |
(뒤집는) RS422/RS485 차동 입력 |
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1Y |
4 |
3 |
오우 |
논리 레벨 출력 |
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2A |
8 |
6 |
나 |
RS422/RS485 차동 입력 (비전환) |
|
2B |
9 |
7 |
나 |
(뒤집는) RS422/RS485 차동 입력 |
|
2Y |
7 |
5 |
오우 |
논리 레벨 출력 |
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3A |
13 |
10 |
나 |
RS422/RS485 차동 입력 (비전환) |
|
3B |
12 |
9 |
나 |
(뒤집는) RS422/RS485 차동 입력 |
|
3Y |
14 |
11 |
오우 |
논리 레벨 출력 |
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4A |
18 |
14 |
나 |
RS422/RS485 차동 입력 (비전환) |
|
4B |
19 |
15 |
나 |
(뒤집는) RS422/RS485 차동 입력 |
|
4Y |
17 |
13 |
오우 |
논리 레벨 출력 |
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Ｇ |
5 |
4 |
나 |
액티브-하이는 선택합니다 |
|
Ｇ |
15 |
12 |
나 |
액티브-로우는 선택합니다 |
|
국민 총수요 |
10 |
8 |
― |
땅 |
|
NC(1) |
1 |
― |
― |
연결되지 마세요 |
|
6 |
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|
11 |
||||
|
16 |
||||
|
VCC |
20 |
16 |
― |
전원 공급기 |
(1) NC - 어떤 내부 접속.
상술
| 민 맥스 | 유닛 | ||
| VCC 공급 전압(2) | 7 | Ｖ | |
| VI 입력 전압 | 또는 비 입력 | -11 14 |
Ｖ |
| Ｇ 또는 Ｇ 입력 | -0.5 VCC + 0.5 | ||
| 비디오 차동입력전압 | -14 14 | Ｖ | |
| 보 출력 전압 | -0.5 VCC + 0.5 | Ｖ | |
| IO 출력 전류 | ±25 | 마 | |
| 트스트그 저장 온도 | -65 150 | 'Ｃ | |
(1) 절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들을 넘어 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것들은 권고된 운영조건 하에 나타낸 그것들을 이러한 또는 다른 어떤 조건에 장치의 기능의 운용을 의미하지 않는 단지 스트레스 비율입니다. 연장된 기간 동안 절대적인 최대 평가된 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.
(2) 차동전압을 제외하고, 모든 전압값은 네트워크 어스 단자에 관하여 있습니다.
| 가치 | 유닛 | ||
|
V(ESD) 정전기 방전 |
ANSI / ESDA / JEDEC JS-001(1)마다, 휴먼 바디 모델 (HBM) | ±3000 |
Ｖ |
| JEDEC 상술 JESD22- C101(2)마다, 대전 장치 모델 (CDM) | ±2000 | ||
(1) JEDEC 문서 JEP155는 500-V HBM이 표준 ESD 제어 과정과 안전한 제작을 허락한다고 말합니다.
(2) JEDEC 문서 JEP157은 250-V CDM이 표준 ESD 제어 과정과 안전한 제작을 허락한다고 말합니다.
| 민 | NOM | 맥스 | 유닛 | |||
| VCC | 공급 전압 | 4.5 | 5 | 5.5 | Ｖ | |
| VIH | 고위급 입력 전압 | 2 | 프크크 | Ｖ | ||
| VIL | 하위층 입력 전압 | 0 | 0.8 | Ｖ | ||
| VIC | 공통 모드 입력 전압 | -7 | +7 | Ｖ | ||
| 통합 개방형 하이퍼미디어 | 높은 수준의 출력 경향 | -6 | 마 | |||
| IOL | 하위층 출력 경향 | 6 | 마 | |||
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TA |
작동 무조건진 기온 |
AM26C32C | 0 | 70 |
'Ｃ |
|
| AM26C32I | -40 | 85 | ||||
| AM26C32Q | -40 | 125 | ||||
| AM26C32M | -55 | 125 | ||||
|
열 측정(1) |
AM26C32 |
유닛 |
|||
| Ｄ (SOIC) | 엔 (PDIP) | NS (그렇게) | PW (TSSOP) | ||
| 16개 핀 | 16개 핀 | 16개 핀 | 16개 핀 | ||
| RθJA 분기점간 주위 온도 저항 | 73 | 67 | 64 | 108 | 'C/W |
(1) 전통적이고 새로운 열 측정 기준에 대한 자세한 정보를 위해 반도체와 IC 패키지 열식 측정 기준 출원 리포트, SPRA953을 보세요.
| 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민 | typ(1) | 맥스 | 유닛 | ||
| VIT+ | 차동 입력 높은 문턱 전압 |
보 = VOH(분), IOH = -440 uA |
7 Ｖ에 대한 VIC = -7 Ｖ | 0.2 |
Ｖ |
||
| 5.5 Ｖ에 대한 VIC = 0 Ｖ | 0.1 | ||||||
| VIT- | 차동 입력 낮은 문턱 전압 | VO = 0.45 Ｖ, IOL = 8 마 | 7 Ｖ에 대한 VIC = -7 Ｖ | -0.2(2) |
Ｖ |
||
| 5.5 Ｖ에 대한 VIC = 0 Ｖ | -0.1(2) | ||||||
| 프하이스 | 이력 전압 (VIT+ - VIT-) | 60 | mV | ||||
| 비크 | 허용 입력 클램프 전압 | VCC = 4.5 Ｖ, II = -18 마 | -1.5 | Ｖ | |||
| VOH | 높은 수준의 출력 전압 | VID = 200 mV, IOH = -6 마 | 3.8 | Ｖ | |||
| VOL | 하위층 출력 전압 | VID = -200 mV, IOL = 6 마 | 0.2 | 0.3 | Ｖ | ||
| IOZ | 오프 상태 (고-임피던스 상태) 출력 전류 | 보 = VCC 또는 국민 총수요 | ±0.5 | ±5 | uA | ||
| II |
라인 입력 경향 |
0 Ｖ에 있는 타 입력인 VI = 10 Ｖ | 1.5 | 마 | |||
| 0 Ｖ에 있는 타 입력인 VI = -10 Ｖ | -2.5 | 마 | |||||
| IIH | 고위급 실행 경향 | VI = 2.7 Ｖ | 20 | μA | |||
| 직접 주입 회로 | 하위층 실행 경향 | VI = 0.4 Ｖ | -100 | μA | |||
| 문서 | 입력 저항 | 1 입력이 의거합니다 | 12 | 17 | kΩ | ||
| ICC | 정지 공급 경향 | VCC = 5.5 Ｖ | 10 | 15 | 마 | ||
(1) 모든 표준치는 VCC = 5 Ｖ와 VIC = 0과 TA = 25' Ｃ에 있습니다.
(2) 덜 긍정적 (더 부정적인) 제한이 지정된 최저치인 대수 컨벤션이 공통 방식 입력 전압을 위한 이 데이터 시트에서 사용됩니다.
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매개 변수 |
엑스페리먼트 조건 |
AM26C32C AM26C32I | AM26C32Q AM26C32M |
유닛 |
|||||
| 민 | typ(1) | 맥스 | 민 | typ(1) | 맥스 | ||||
| 트플에 | 높은 수준의 출력에 낮은 전파 지연 시간 |
그림 2를 보시오 |
9 | 17 | 27 | 9 | 17 | 27 | 나노 초 |
| 티피하들 | 하위층 출력에 높은 전파 지연 시간 | 9 | 17 | 27 | 9 | 17 | 27 | 나노 초 | |
| 트틀에 | 높은 수준의 출력에 낮은 출력 주행 시간 |
그림 2를 보시오 |
4 | 9 | 4 | 10 | 나노 초 | ||
| 트스들 | 하위층 출력에 높은 출력 주행 시간 | 4 | 9 | 4 | 9 | 나노 초 | |||
| 티피즈에 | 고위급인 것에 대한 출력 인에블 타임 |
그림 3을 보시오 |
13 | 22 | 13 | 22 | 나노 초 | ||
| 티피즈들 | 로-레벨에 대한 출력 인에블 타임 | 13 | 22 | 13 | 22 | 나노 초 | |||
| 티피하즈 | 고위급인 것에서의 출력 디스에이블 시간 |
그림 3을 보시오 |
13 | 22 | 13 | 26 | 나노 초 | ||
| 트플즈 | 로-레벨로부터의 출력 디스에이블 시간 | 13 | 22 | 13 | 25 | 나노 초 | |||
(1) 모든 표준치는 VCC = 5 Ｖ, TA = 25' Ｃ에 있습니다.
당신의 메시지에 들어가십시오
