상세 정보 |
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상품 종류 :: | EEPROM | 패키지 / 건: | UFDFPN-8 |
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상품 이름: | M24C16-RMC6TG | 종결 방식: | SMD / SMT |
패키지: | 릴 | FPQ: | 5000 |
하이 라이트: | M24C16-RMC6TG EEPROM 메모리 칩,M24C16-RMC6TG eeprom 칩,EEPROM 메모리 칩 16Kbit 100kHz I2C |
제품 설명
M24C16-RMC6TG eeprom메모리 데이터 스토리지 16Kbit 100kHz I2C 400 킬로 헤르츠 패스트 모드
16-kbit 일련 I2C 버스 EEPROM
특징
다음과 같은 I2C 버스 방식으로 오우 적합한 : - 400 킬로 헤르츠 - 100 킬로 헤르츠
오우 메모리 어레이 : - EEPROM의 16 Kbit (2 키로바이트) - 페이지는 분류합니다 : 16 바이트
오우 단전원 : - M24C16 W : 2.5 5.5 V에 대한 V - M24C16 R : 1.8 5.5 V에 대한 V - M24C16 F : 1.7 5.5 V에 대한 V (가득 찬 온도 범위)과 1.7 V에 대한 1.6 V (제한 온도 범위)
오우 쓰기 시간 : - 5명의 부인 이내에 5개 부인 하이픈 페이지 쓰기 이내에 바이트 기입
오우 작동 온도 범위 : - -40 'C에서 +85 'C까지!
오우 임의와 연속하는 읽기 모드
오우 기입은 전체 메모리 어레이를 보호합니다
오우 강화한 ESD / 래치 업 방지
400만 기입 사이클 보다 더 오우
200년 데이터 유지 보다 더 오우
EEPROM | |
로에스 : | 세부 사항 |
SMD / SMT | |
UFDFPN-8 | |
2-와이어, I2C | |
16 kbit | |
2 K X 8 | |
1.8 V | |
5.5 V | |
- 40 C | |
+ 85 C | |
400 킬로 헤르츠 | |
900 나노 초 | |
200년 | |
1 마 | |
M24C16 R | |
릴 | |
컷 테이프 | |
마우스릴 | |
작동 공급 전압 : | 5.5 V |
상품 종류 : | EEPROM |
양 공장 팩 : | 5000 |
하위범주 : | 메모리 & 데이터 스토리지 |
단일 가중치 : | 37.400 마그네슘 |
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